SDRAM:
Los chips de acceso dinámico y sincrónico de memoria aleatoria equivale a SDRAM. Todas las variedades posteriores de memoria de doble tasa de transferencia de datos (DDRAM por sus siglas en inglés) son formas de SDRAM. La cual se diferencia de los chips ordinarios DRAM, debido a que está vinculada con el reloj interno del sistema, por lo que las solicitudes se envían en la primera oportunidad disponible, cuando la SDRAM está lista para recibirla. Esta sincronización evita que los datos en la memoria caché se aglomeren, lo que resulta en un flujo de datos más estable y continuo, que finalmente resulta en un mayor rendimiento.
DDR:
Los módulos de memoria DDR-SDRAM son del mismo tamaño que los DIMM de SDRAM, pero con más conectores: 184 pines en lugar de los 168 de la SDRAM normal. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1Gb.
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un FSB (Front Side Bus) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.
También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas
DDR2:
SDRAM DDR2 es la segunda generación de SDRAM DDR.
DDR2 SDRAM DDR SDRAM mejora de la señalización y el uso diferencial más bajo voltajes para apoyar a la ejecución de ventajas sobre DDR SDRAM. Señalización diferencial requiere más contactos, por lo que el número de contactos en un módulo de memoria DDR SDRAM DIMM se elevó de 184 a 240.
El voltaje de DDR SDRAM DIMM's se redujo de 2.5V a 1.8V. Esto mejora el consumo de energía y la generación de calor, así como permitir una mayor densidad de memoria para configuraciones de mayor capacidad.
DDR3:
DDR3 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Tres Memoria de Acceso Aleatorio) es la tercera generación de SDRAM DDR
DDR3 SDRAM mejoro en varias maneras significativas:
Superior ancho de banda debido a la mayor tasa de reloj
La reducción de consumo de energía debido a la tecnología de fabricación de 90mm
Antes de la obtención de amortiguación se duplicó a 8 bits para aumentar el rendimiento
El voltaje de DDR3 SDRAM DIMM's se redujo de 1.8V a 1.5V. Esto reduce el consumo de energía y la generación de calor, así como permitir una mayor densidad de memoria para configuraciones de mayor capacidad.
DDR4:
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a 2.133MT/s), la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
Los chips de acceso dinámico y sincrónico de memoria aleatoria equivale a SDRAM. Todas las variedades posteriores de memoria de doble tasa de transferencia de datos (DDRAM por sus siglas en inglés) son formas de SDRAM. La cual se diferencia de los chips ordinarios DRAM, debido a que está vinculada con el reloj interno del sistema, por lo que las solicitudes se envían en la primera oportunidad disponible, cuando la SDRAM está lista para recibirla. Esta sincronización evita que los datos en la memoria caché se aglomeren, lo que resulta en un flujo de datos más estable y continuo, que finalmente resulta en un mayor rendimiento.
DDR:
Los módulos de memoria DDR-SDRAM son del mismo tamaño que los DIMM de SDRAM, pero con más conectores: 184 pines en lugar de los 168 de la SDRAM normal. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1Gb.
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un FSB (Front Side Bus) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.
También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas
DDR2:
SDRAM DDR2 es la segunda generación de SDRAM DDR.
DDR2 SDRAM DDR SDRAM mejora de la señalización y el uso diferencial más bajo voltajes para apoyar a la ejecución de ventajas sobre DDR SDRAM. Señalización diferencial requiere más contactos, por lo que el número de contactos en un módulo de memoria DDR SDRAM DIMM se elevó de 184 a 240.
El voltaje de DDR SDRAM DIMM's se redujo de 2.5V a 1.8V. Esto mejora el consumo de energía y la generación de calor, así como permitir una mayor densidad de memoria para configuraciones de mayor capacidad.
DDR3:
DDR3 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Tres Memoria de Acceso Aleatorio) es la tercera generación de SDRAM DDR
DDR3 SDRAM mejoro en varias maneras significativas:
Superior ancho de banda debido a la mayor tasa de reloj
La reducción de consumo de energía debido a la tecnología de fabricación de 90mm
Antes de la obtención de amortiguación se duplicó a 8 bits para aumentar el rendimiento
El voltaje de DDR3 SDRAM DIMM's se redujo de 1.8V a 1.5V. Esto reduce el consumo de energía y la generación de calor, así como permitir una mayor densidad de memoria para configuraciones de mayor capacidad.
DDR4:
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a 2.133MT/s), la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
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